Infineon: Infineon präsentiert SiGe-Transceiver-Familie für Millimeterwellen-Backhaul-Anwendungen
16.04.2013, Infineon Technologies hat heute eine neue Transceiver-Familie vorgestellt. Die Single-Chip- Lösung ersetzt mehr als zehn diskrete Bausteine und vereinfacht sowohl das Systemdesign als auch die Fertigungslogistik auf Anwenderseite. Die hochintegrierten Transceiver sind für Wireless-Backhaul-Kommunikationssysteme im Millimeterwellenbereich sowie hohe Datenraten ausgelegt und tragen mit ihrem niedrigen Energiebedarf zur Senkung der Fixkosten bei. Sie zielen dabei auf den Markt für drahtlose Daten-Links zwischen LTE/4G- Basisstationen und Core-Netzwerken mit Datenraten von mehr als 1 Gbit/s.
Die Bausteine der BGTx0-Familie von Infineon werden in einem Standard-Kunststoffgehäuse geliefert und ersetzen als Single-Chip-Lösung mehr als zehn diskrete Bausteine in bisherigen Systemdesigns. Der Bestückungsprozess auf Seite der Kunden wird deutlich vereinfacht, da der standardmäßige SMT-Prozess beibehalten werden kann.
Die BGTx0-Familie deckt das komplette Hochfrequenz (HF)-Frontend für die drahtlose Kommunikation in den Millimeter-Frequenzbändern von 57-64 GHz, 71-76 GHz oder 81-86 GHz ab. In Kombination mit einem Basisband-Modem benötigt die entsprechende Systemlösung deutlich weniger Platz und bietet eine höhere Zuverlässigkeit sowie geringere Kosten für Backhaul-Links, wie sie für Mobilfunk-Basisstationen für LTE/4G-Netzwerke erforderlich sind.
„Die für den LTE/4G-Backhaul verfügbaren V- und E-Band-Mikrowellenfrequenzen unterstützen Datenraten, die drei Mal höher sind als bei früheren Netzwerk-Generationen. Um den Anforderungen gerecht zu werden, benötigt man Komponenten mit ausgezeichneter Performance im Hochfrequenzbereich“, sagte Philipp von Schierstaedt, Vice President und General Manager des Geschäftsfeldes RF & Protection Devices bei Infineon Technologies. „Bei dieser neuen Transceiver-Familie profitiert Infineon von seiner führenden Prozesstechnologie und seiner umfassenden Expertise beim Design von Hochfrequenzanwendungen. Damit können Systementwickler die Design-Komplexität verringern, die Produktionslogistik vereinfachen und letztendlich die Qualität und Zuverlässigkeit ihrer Backhaul-Verbindungslösungen verbessern.“
Die BGTx0-Transceiver haben alle erforderlichen HF-Funktionsblöcke auf einem einzigen Chip integriert: I/Q-Modulator, VCO (Voltage Controlled Oscillator), Leistungsverstärker (PA), LNA (Low Noise Amplifier), PGA (Programmable Gain Amplifier), SPI-Schnittstelle und mehr. Die Chips werden in einem Kunststoff-eWLB-Gehäuse (embedded Wafer Level Ball Grid Array) geliefert. Die Validierung und Kalibrierung der HF-Performance erfolgt während der Produktion mittels BIST (Built-In-Self-Test), was die Integration der Chips in den Produktionsprozess der Komponentenhersteller vereinfacht.
Die ausgezeichnete HF-Performance der SiGe-Technologie wird u.a. durch eine Ausgangsleistung des Leistungsverstärkers von 18 dBm, eine extrem geringe Rauschzahl von 6 dB für den LNA und ein Phasenrauschen für den VCO, das besser als -85 dBc/Hz bei einem Offset von 100 kHz ist, dokumentiert. Damit können Systementwickler leistungsfähige Modulations-Schemata bis hin zu QAM 64 mit Abtastraten von 500 MSamples/s oder QAM32 mit 1 GSample/s bei einer Bitfehler-Rate (BER) von nur 10 -6 implementieren. Schutz gegenüber elektrostatischen Entladungen (ESD) von mehr als 1 kV erhöht die Robustheit und vereinfacht das Systemdesign. Die geringe Leistungsaufnahme der Backhaul-Transceiver von weniger als 2 W ermöglicht es Netzbetreibern, ihre entsprechenden Betriebskosten zu senken. Dank der Direct-Conversion-Architektur der Transceiver vereinfacht sich das Interface zwischen dem HF-Teil und dem Basisband wesentlich im Vergleich zu den bisherigen diskret aufgebauten Millimeterwellen-Systemen.
Systemhersteller profitieren außerdem von dem für die Automobilindustrie qualifizierten Herstellungsprozess für die SiGe-ICs von Infineon.
Verfügbarkeit und Preise
Qualifikationsmuster der BTGx0-Familie sind ab September 2013 verfügbar. Die Serienproduktion ist für Ende des Jahres geplant. Weitere Informationen unter: www.infineon.com/backhaul
Medienkontakt:
Infineon Technologies AG Tillmann Geneuss Media Relations tillmann.geneuss@infineon.com Telefon +49 89 23483346
Die BGTx0-Familie deckt das komplette Hochfrequenz (HF)-Frontend für die drahtlose Kommunikation in den Millimeter-Frequenzbändern von 57-64 GHz, 71-76 GHz oder 81-86 GHz ab. In Kombination mit einem Basisband-Modem benötigt die entsprechende Systemlösung deutlich weniger Platz und bietet eine höhere Zuverlässigkeit sowie geringere Kosten für Backhaul-Links, wie sie für Mobilfunk-Basisstationen für LTE/4G-Netzwerke erforderlich sind.
„Die für den LTE/4G-Backhaul verfügbaren V- und E-Band-Mikrowellenfrequenzen unterstützen Datenraten, die drei Mal höher sind als bei früheren Netzwerk-Generationen. Um den Anforderungen gerecht zu werden, benötigt man Komponenten mit ausgezeichneter Performance im Hochfrequenzbereich“, sagte Philipp von Schierstaedt, Vice President und General Manager des Geschäftsfeldes RF & Protection Devices bei Infineon Technologies. „Bei dieser neuen Transceiver-Familie profitiert Infineon von seiner führenden Prozesstechnologie und seiner umfassenden Expertise beim Design von Hochfrequenzanwendungen. Damit können Systementwickler die Design-Komplexität verringern, die Produktionslogistik vereinfachen und letztendlich die Qualität und Zuverlässigkeit ihrer Backhaul-Verbindungslösungen verbessern.“
Die BGTx0-Transceiver haben alle erforderlichen HF-Funktionsblöcke auf einem einzigen Chip integriert: I/Q-Modulator, VCO (Voltage Controlled Oscillator), Leistungsverstärker (PA), LNA (Low Noise Amplifier), PGA (Programmable Gain Amplifier), SPI-Schnittstelle und mehr. Die Chips werden in einem Kunststoff-eWLB-Gehäuse (embedded Wafer Level Ball Grid Array) geliefert. Die Validierung und Kalibrierung der HF-Performance erfolgt während der Produktion mittels BIST (Built-In-Self-Test), was die Integration der Chips in den Produktionsprozess der Komponentenhersteller vereinfacht.
Die ausgezeichnete HF-Performance der SiGe-Technologie wird u.a. durch eine Ausgangsleistung des Leistungsverstärkers von 18 dBm, eine extrem geringe Rauschzahl von 6 dB für den LNA und ein Phasenrauschen für den VCO, das besser als -85 dBc/Hz bei einem Offset von 100 kHz ist, dokumentiert. Damit können Systementwickler leistungsfähige Modulations-Schemata bis hin zu QAM 64 mit Abtastraten von 500 MSamples/s oder QAM32 mit 1 GSample/s bei einer Bitfehler-Rate (BER) von nur 10 -6 implementieren. Schutz gegenüber elektrostatischen Entladungen (ESD) von mehr als 1 kV erhöht die Robustheit und vereinfacht das Systemdesign. Die geringe Leistungsaufnahme der Backhaul-Transceiver von weniger als 2 W ermöglicht es Netzbetreibern, ihre entsprechenden Betriebskosten zu senken. Dank der Direct-Conversion-Architektur der Transceiver vereinfacht sich das Interface zwischen dem HF-Teil und dem Basisband wesentlich im Vergleich zu den bisherigen diskret aufgebauten Millimeterwellen-Systemen.
Systemhersteller profitieren außerdem von dem für die Automobilindustrie qualifizierten Herstellungsprozess für die SiGe-ICs von Infineon.
Verfügbarkeit und Preise
Qualifikationsmuster der BTGx0-Familie sind ab September 2013 verfügbar. Die Serienproduktion ist für Ende des Jahres geplant. Weitere Informationen unter: www.infineon.com/backhaul
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Infineon Technologies AG
Am Campeon 1-12
85579 Neubiberg
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