Aixtron bringt grösste MOCVD-Anlage für GaN*-LEDs auf den Markt

mit der weltweit grössten MOCVD-Reaktorkapazität können Kunden nun zwischen einer Waferkonfiguration von 16x4-Zoll oder 69x2-Zoll wählen. Diese neue Reaktorentwicklung basiert auf der in 2010 sehr erfolgreich eingeführten und im Markt erprobten CRIUS II Plattform, auf die die Kunden ihre qualifizierten und effizienten LED-Prozesse bereits reibungslos transferieren konnten.

„Die Senkung der Produktionskosten ist das ausschlaggebende Kriterium in der LED-Industrie, besonders in Hinblick auf die Kostenreduktion der LED-Beleuchtung. Wir haben die MOCVD relevanten Produktionskosten analysiert und festgestellt, dass die Reaktorkapazität als Schlüsselparameter die Betriebskosten am meisten beeinflusst“, erklärt Dr. Rainer Beccard, Vice President Marketing bei AIXTRON.

„Der weltgrösste Reaktor der neuen CRIUS II-L Anlage ist derzeit einzigartig und führt, im Produktionsbetrieb getestet, zu einer schnelleren Reduzierung der LED-Chipkosten. Neben unübertroffener Kapazität und Durchsatz bietet die Anlage aufgrund ihrer erstklassigen Homogenität und Reproduzierbarkeit ausserordentliche Ausbeute.“ Das Design des CRIUS II-L Reaktors sei für Wafergrössen von 2- bis 8-Zoll optimiert und biete noch weiteres Potential zur Steigerung der Produktivität, so Dr. Beccard.

Wie auch die Vorgänger-Generationen basiert die CRIUS II-L Anlage auf dem Close Coupled Showerhead (CCS)-Konzept, die Schlüsseltechnologie, die sich durch reibungslosen und schnellen Prozesstransfer bewährt hat. Über die Jahre hat sich die in vielen Märkten etablierte CCS-Technologie eine exzellente Anerkennung erarbeitet und ist besonders für ihre direkte Prozesssteuerung, die gleichbleibend stabilen Prozesse und ausgezeichneten Eigenschaften der LEDs bekannt.

* GaN LEDs, gallium nitride LEDs = Galliumnitrid LEDs ** MOCVD, Metal Organic Chemical Vapor Deposition = Metall-organische Gasphasenabscheidung


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